728x90 반응형 커패시터1 삼성전자 12나노급 공정 16Gb DDR5 D램 양산 삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다. 삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. (12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다) 또한, 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어, 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데.. 2023. 5. 22. 이전 1 다음 728x90 반응형