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SK하이닉스, 청주시에 건설할 신규 팹 M15X를 D램 생산 기지로 결정 SK하이닉스가 급증하는 AI 반도체 수요에 선제 대응해, AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM 등 차세대 D램 생산능력(Capacity, 이하 캐파) 확장에 나서기로 했다고 24일 밝혔다. 회사는 이날 이사회 결의를 거쳐 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조 3,000억 원을 투자하기로 결정했다. SK하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조 원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 회사 경쟁력의 근간인 국내 생산기지에 대한 투자 확대를 통해 국가경제 .. 2024. 4. 29.
SK하이닉스 2024년 1분기 경영실적 발표 SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 올해 1분기 매출 12조 4,296억 원, 영업이익 2조 8,860억 원(영업이익률 23%), 순이익 1조 9,170억 원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다고 발표했다.(K-IFRS 기준) 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대이고, 영업이익은 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치로, SK하이닉스는 장기간 지속돼온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며, "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되.. 2024. 4. 26.
SK하이닉스 2023년 3분기 실적 발표 SK하이닉스는 10월 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원(영업손실률 20%, 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다.(K-IFRS 기준) SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다"라고 설명했다. 회사는 또 "무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한데 의미를 두고 있다"고 강조했다. 매출 증가 추세에 대해.. 2023. 11. 18.
SK하이닉스 10나노급 5세대 DDR5 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증 SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10 나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)' 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다. 이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다. 플랫폼이란 하드웨어와 소프트웨어 기술이 집약된 컴퓨팅 시스템을 뜻한다. CPU, 메모리 등 컴퓨팅을 가능하게 하는 모든 중요 구성 요소를 포함하는 시스템이다. 이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로, SK하이닉스 기술진은 현재 .. 2023. 6. 7.
SK하이닉스 세계 최초 D램 12단 적층 HBM3 개발 SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩을 수직 적층해 HBM3 신제품을 개발했다. SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 4월 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM) - 2세대(HBM2) - 3세대(HBM2E) - 4세대(HBM3) 순으로 개발되어 왔다. 기존 HBM2의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. SK하이닉스는 "당사는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 .. 2023. 6. 6.
삼성전자 12나노급 공정 16Gb DDR5 D램 양산 삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다. 삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. (12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다) 또한, 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어, 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데.. 2023. 5. 22.
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