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SK하이닉스와 대만 TSMC 기술 협력 MOU 체결, HBM4 개발 계획 SK하이닉스는 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이베이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했고, SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했다. 양사는 우선 HBM 패키지내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 .. 2024. 5. 6.
SK하이닉스, 청주시에 건설할 신규 팹 M15X를 D램 생산 기지로 결정 SK하이닉스가 급증하는 AI 반도체 수요에 선제 대응해, AI 인프라(Infra)의 핵심인 HBM 등 차세대 D램 생산능력(Capacity, 이하 캐파) 확장에 나서기로 했다고 24일 밝혔다. 회사는 이날 이사회 결의를 거쳐 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조 3,000억 원을 투자하기로 결정했다. SK하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조 원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 회사 경쟁력의 근간인 국내 생산기지에 대한 투자 확대를 통해 국가경제 .. 2024. 4. 29.
SK하이닉스 2024년 1분기 경영실적 발표 SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 올해 1분기 매출 12조 4,296억 원, 영업이익 2조 8,860억 원(영업이익률 23%), 순이익 1조 9,170억 원(순이익률 15%)의 경영실적을 기록했다고 발표했다.(K-IFRS 기준) 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 1분기 실적 중 최대이고, 영업이익은 1분기 기준 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째 높은 수치로, SK하이닉스는 장기간 지속돼온 다운턴에서 벗어나 완연한 실적 반등 추세에 접어든 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "HBM 등 AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량을 늘리는 한편, 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다"며, "낸드 역시 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되.. 2024. 4. 26.
SK하이닉스 2023년 실적 발표 4분기 흑자전환 메모리 반도체 업황 반등이 본격화된 가운데 SK하이닉스가 지난해 4분기 3460억 원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 이로써 회사는 2022년 4분기부터 이어져 온 영업적자에서 1년만에 벗어났다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조 3055억 원, 영업이익 3460억 원(영업이익률 3%), 순손실 1조 3795억 원(순손실률 12%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다.(K-IFRS기준) SK하이닉스는 "지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다."며, "이와 함께 그동안 지속해 온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 당사는 1년 만에 영업흑자를 .. 2024. 1. 30.
SK하이닉스 2023년 3분기 실적 발표 SK하이닉스는 10월 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원(영업손실률 20%, 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다.(K-IFRS 기준) SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다"라고 설명했다. 회사는 또 "무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한데 의미를 두고 있다"고 강조했다. 매출 증가 추세에 대해.. 2023. 11. 18.
SK하이닉스 세계최고용량 모바일기기용 고성능D램 LPDDR5X 공급 SK하이닉스가 스마트폰 등 모바일 기기용 고성능 D램인 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5 eXtended)의 24GB 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 8월 11일 밝혔다. 회사는 지난해 11월 LPDDR5X 양산에 성공했고, 이번에 모바일 D램으로는 처음으로 24GB까지 용량을 높인 패키지를 개발해 납품에 들어간 것이다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성을 갖고 있다. 규격명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다. SK하이닉스는 8세대 LPDDR6가 공식 출시되기 전 지난 1월 LPDDR5X의 성.. 2023. 9. 12.
SK하이닉스 세계 최고층 321단 4D 낸드 샘플 공개 SK하이닉스가 321단 4D 낸드 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행중이라고 공식화했다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. 플래시 메모리 서밋은 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모의 컨퍼런스이다. 낸드플래시는 한 개의 셀에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개) - MLC(Multi Level Cell, 2개) - TLC(Triple Level .. 2023. 8. 23.
SK스퀘어-SK하이닉스 해외 반도체 소부장 기업 투자 SK하이닉스와 SK스퀘어가 국내 대표 금융사 등과 약 1,000억 원을 공동 출자해 일본, 미국 등 해외 유망 반도체 소부장 기업에 투자한다. SK스퀘어는 효율적인 해외 반도체 투자를 위해 투자법인 TGC SQUARE를 설립했다. SK하이닉스, 신한금융그룹, LIG넥스원 등이 공동 출자에 참여한다. 공동 출자 기업들은 반도체 산업 인사이트를 가진 SK스퀘어, SK하이닉스와 손잡고 투자 포트폴리오를 반도체 영역으로 확대하는데 목표를 두고 있다. 투자법인은 이번 1,000억 원을 시작으로 추가 참여를 원하는 기업을 위해 공동출자 기회를 열어 두고 있다. SK스퀘어와 SK하이닉스는 독보적인 기술력을 가진 반도체 소부장 기업에 선제적으로 투자해 안정적인 글로벌 반도체 공급망을 구축하고 첨단 기술 경쟁력을 강화한.. 2023. 7. 20.
SK하이닉스 세계 최고층 238단 4D 낸드플래시 양산 돌입 SK 하이닉스가 238단 4D 낸드플래시 양산을 시작해 스마트폰을 생산하는 해외 고객사와 함께 제품 인증 과정을 진행하고 있다고 8일 밝혔다. SK하이닉스는 앞서 지난해 8월 세계 최고층 낸드인 238단 개발에 성공했다. SK하이닉스는 "238단 낸드를 기반으로 스마트폰과 PC용 cSSD(Client SSD) 솔루션 제품을 개발해 5월에 양산을 시작했다"며 "당사는 기존 176단은 물론, 238단에서도 원가·성능·품질 측면에서 세계 톱클래스 경쟁력을 확보한 만큼, 이 제품들이 하반기 회사 경영실적 개선의 견인차 역할을 해줄 것으로 기대한다"라고 강조했다. 세계에서 가장 작은 사이즈의 칩으로 구현된 238단 낸드는 이전 세대인 176단보다 생산효율이 34% 높아져 원가 경쟁력이 크게 개선됐다. 데이터 전송.. 2023. 6. 12.
SK하이닉스 세계 최초 D램 12단 적층 HBM3 개발 SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩을 수직 적층해 HBM3 신제품을 개발했다. SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 4월 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM) - 2세대(HBM2) - 3세대(HBM2E) - 4세대(HBM3) 순으로 개발되어 왔다. 기존 HBM2의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. SK하이닉스는 "당사는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 .. 2023. 6. 6.
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