728x90 반응형 ddr53 SK하이닉스 2023년 3분기 실적 발표 SK하이닉스는 10월 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원(영업손실률 20%, 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다.(K-IFRS 기준) SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다"라고 설명했다. 회사는 또 "무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한데 의미를 두고 있다"고 강조했다. 매출 증가 추세에 대해.. 2023. 11. 18. SK하이닉스 10나노급 5세대 DDR5 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증 SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10 나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)' 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다. 이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다. 플랫폼이란 하드웨어와 소프트웨어 기술이 집약된 컴퓨팅 시스템을 뜻한다. CPU, 메모리 등 컴퓨팅을 가능하게 하는 모든 중요 구성 요소를 포함하는 시스템이다. 이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로, SK하이닉스 기술진은 현재 .. 2023. 6. 7. 삼성전자 12나노급 공정 16Gb DDR5 D램 양산 삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다. 삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. (12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다) 또한, 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어, 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데.. 2023. 5. 22. 이전 1 다음 728x90 반응형
