728x90 반응형 12개수직적층1 SK하이닉스 세계 최초 D램 12단 적층 HBM3 개발 SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩을 수직 적층해 HBM3 신제품을 개발했다. SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 4월 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM) - 2세대(HBM2) - 3세대(HBM2E) - 4세대(HBM3) 순으로 개발되어 왔다. 기존 HBM2의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. SK하이닉스는 "당사는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 .. 2023. 6. 6. 이전 1 다음 728x90 반응형